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功能描述:MOSFET N-CH 20V VSOF-SLIM
RoHS:是
类别:分离式半导体产品 >> FET - 单
系列:-
标准包装:1,000
系列:MESH OVERLAY™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V
功率 - 最大:40W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商设备封装:TO-220FP
包装:管件